在這里，我們將介紹非接觸式(渦流法)電阻測(cè)量原理的概況(該原理的詳細(xì)說(shuō)明在材料中)。
(*在我們的產(chǎn)品中，根據(jù)電阻范圍，還有另一種非接觸式電阻測(cè)量方法系統(tǒng)。。此外，關(guān)于非接觸式測(cè)量原理，除了渦流方法外，但很抱歉給您帶來(lái)麻煩請(qǐng))
渦流法主要用于非接觸式，可測(cè)量1E-3(1m)至1E + 4(10k)Ω/□電阻范圍。
它可用于半導(dǎo)體，化合物半導(dǎo)體，液晶和新型碳基材料等廣泛領(lǐng)域的測(cè)量。
渦流測(cè)量系統(tǒng)使用電磁感應(yīng)產(chǎn)生的渦流來(lái)測(cè)量電阻。
非接觸式測(cè)量探頭單元的探頭芯(磁性材料)在兩側(cè)(上下)以一定的間隙排列。
<非接觸式測(cè)量探頭單元的結(jié)構(gòu)>
●在渦流法中，按照以下步驟進(jìn)行測(cè)量。
(1)當(dāng)在探針芯之間施加高頻以產(chǎn)生磁通量并且插入樣本時(shí)，樣本中產(chǎn)生渦流。
(2)此時(shí)，(1)渦電流流過(guò)樣品→(2)樣品中消耗了電流，發(fā)生了功率損耗。
→③電路中的電流成比例降低。檢測(cè)該減小的電流值。
(3)由于檢測(cè)到的電流值與樣品的電阻成反比關(guān)系，請(qǐng)使用此值。
座電阻或電阻是從電流值和座電阻的校準(zhǔn)曲線(計(jì)算公式)得出的。
(*計(jì)算電阻時(shí)需要樣品厚度信息)
日本napson手持式探針無(wú)損渦流法電阻測(cè)量?jī)x
測(cè)量規(guī)格
測(cè)量目標(biāo)
半導(dǎo)體/太陽(yáng)能電池材料相關(guān)(硅，多晶硅，SiC等)
新材料/功能材料相關(guān)(碳納米管，DLC，石墨烯，銀納米線等)
導(dǎo)電薄膜相關(guān)(金屬，ITO等)
硅基外延，離子與
半導(dǎo)體相關(guān)的注入樣品化合物(GaAs Epi，GaN Epi，InP，Ga等)
其他(*請(qǐng)與我們聯(lián)系)
測(cè)量尺寸
無(wú)論樣品大小和形狀如何均可進(jìn)行測(cè)量(但是，大于20mmφ且表面平坦)
測(cè)量范圍
[電阻] 1m至200Ω·cm
(*所有探頭類(lèi)型的總范圍/厚度500um)
[板電阻] 10m至3kΩ / sq
(*所有探頭類(lèi)型的總范圍)
*有關(guān)每種探頭類(lèi)型的測(cè)量范圍，請(qǐng)參閱以下內(nèi)容。
(1)低：0.01至0.5Ω/□(0.001至
0.05Ω- cm)(2)中：0.5至10Ω/□(0.05至0.5Ω-cm)
(3 ))高：10至1000Ω/□(0.5至60Ω-??cm)
(4)S-高：1000至3000Ω/□(60至200Ω-cm)
(5)太陽(yáng)能晶片：5至500Ω/□(0。 2至15Ω-cm)
測(cè)量規(guī)格
測(cè)量目標(biāo)
半導(dǎo)體/太陽(yáng)能電池材料相關(guān)(硅，多晶硅，SiC等)
新材料/功能材料相關(guān)(碳納米管，DLC，石墨烯，銀納米線等)
導(dǎo)電薄膜相關(guān)(金屬，ITO等)
硅基外延，離子與
半導(dǎo)體相關(guān)的注入樣品化合物(GaAs Epi，GaN Epi，InP，Ga等)
其他(*請(qǐng)與我們聯(lián)系)
測(cè)量尺寸
無(wú)論樣品大小和形狀如何均可進(jìn)行測(cè)量(但是，大于20mmφ且表面平坦)
測(cè)量范圍
[電阻] 1m至200Ω·cm
(*所有探頭類(lèi)型的總范圍/厚度500um)
[板電阻] 10m至3kΩ / sq
(*所有探頭類(lèi)型的總范圍)
*有關(guān)每種探頭類(lèi)型的測(cè)量范圍，請(qǐng)參閱以下內(nèi)容。
(1)低：0.01至0.5Ω/□(0.001至
0.05Ω- cm)(2)中：0.5至10Ω/□(0.05至0.5Ω-cm)
(3 ))高：10至1000Ω/□(0.5至60Ω-??cm)
(4)S-高：1000至3000Ω/□(60至200Ω-cm)
(5)太陽(yáng)能晶片：5至500Ω/□(0。 2至15Ω-cm)
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