SESAM半導體可飽和吸收鏡型號格式：SAM-λ-A-τ-x
? λ - 激光波長
λ - 每個規格SESAM資料中給定的吸收率A對應有效激光波長。在大約±λ/ 50的波長間隔內，SAM仍然可以正常使用，參數沒有明顯變化。反射率R和波長的吸收率A = 1-R的變化請參考對應SESAM資料。
? A - 低強度吸收率
A- 低于飽和度的低脈沖通量的吸收率。由于下面的布拉格反射鏡的透射率消失，所以可以簡單地通過A = 1-R從低強度反射率R推導出吸收率。
? τ - 吸收器弛豫時間
SAM從激光脈沖的前沿吸收一些光子。吸收的光子能量被分配給半導體吸收體價帶中的電子，其被激發到導帶中。由于來自價帶的許多激發電子在導帶中，吸收器被漂白并具有減小的吸收率。由于不同的效應（例如聲子或光子發射），激發的電子在平均弛豫時間τ之后失去了多余的能量。該平均弛豫時間取決于半導體吸收材料的缺陷密度。
從能量的觀點來看，的弛豫時間τ應略大于脈沖寬度。在這種情況下，由于在可飽和吸收器中的吸收而導致的光功率損耗是小的，并且可以期望吸收體在長時間內具有較低的退化。
另一方面，在一些情況下可以有利地使用具有比脈沖寬度更短的弛豫時間的SAM，以獲得穩定的鎖模狀態。
? x – SAM封裝形式
1、固態激光器：
標準尺寸為4.0 mm x 4.0 mm和0.45 mm厚度的SESAM芯片中為了散熱，必須將SAM粘接或焊接在銅散熱片上。焊接具有熱導率，推薦用于平均光輸出功率> 0.2 W情況下。我們提供12.7 mm（1/2“）、25.0 mm和25.4 mm（1”）的標準直徑銅散熱器。25.0 mm直徑的散熱片也可作為水冷版本使用。
除了散熱器的選擇之外，焊接或粘合的SAM在散熱器上的位置也很重要。在一些情況下，安裝在散熱器的邊緣上可以更有利地獲得激光束到SAM的低入射角。
訂購示例：SAM-1064-2-10ps-4.0-12.7se
2、光纖激光器
采用尺寸為1.3 mm x 1.3 mm的小型SAM芯片（光路中沒有任何膠水）對接可獲得穩定結構。
請注意：由于在從空氣（n = 1）到二氧化硅（n = 1.46）的光纖對接耦合期間，SAM表面介質發生變化，導致反射率R和吸收率A = 1 –R發生變化。這種改變取決于SAM結構（諧振、反諧振、介電覆蓋）的設計，并且還伴隨著SAM表面光場強度的稍微增加。
從光纖耦合SAM芯片去除耗散光功率：一些光功率被SAM芯片吸收，必須通過熱傳導來去除。
訂購SAM用于光纖對接耦合有以下幾種封裝形式：
a、您可以自己封裝，訂購一組4個小型SAM芯片，尺寸為1.0 mm x 1.0 mm或1.3 mm x 1.3 mm。
訂購示例： SAM-1064-30-8ps-1.3b-0
可選項：FM-1.3 光纖散熱支架，適用于1.3 mm x 1.3 mm SAM芯片。可與任何帶FC / PC連接器的光纖一起使用。
b、您可以訂購光纖耦合SAM。在這種情況下，SAM安裝到FC/PC接頭的陶瓷套圈上，光路中沒有任何膠水。您可以選擇各種類型單模光纖，如HI-1060，PM 980（Panda），也可選擇另一個光纖端口上的端口類型。我們的標準光纖長度為1m。短的光纖長度為15cm。
訂購示例：SAM-1064-30-8ps-FC/ APC-PM980
可選：PHS， 光纖耦合SAM被動散熱器，用于FC / PC端口。PHS可以用螺釘安裝在較大的金屬表面上。
相關文章：半導體可飽和吸收鏡(SESAM)工作原理
更多可飽和吸收體產品
>> 半導體可飽和吸收鏡 SESAM
>> 可飽和輸出耦合器 SOC
>> 共振可飽和吸收鏡 RSAM
>> 可飽和噪聲抑制器 SANOS
>> 透射型可飽和吸收體 SA
3
立即詢價
您提交后，專屬客服將第一時間為您服務