【儀器網 行業要聞】日前，標準化組織(ISO)正式發布了微束分析領域中的一項標準：基于測長掃描電鏡的關鍵尺寸評測方法。這是半導體線寬測量標準，也是半導體檢測領域由中國主導制定的標準。
半導體或芯片上的物理尺寸特征被稱為特征尺寸，其中小的特征尺寸稱為關鍵尺寸，對關鍵尺寸測量也可稱為納米尺度線寬測量。關鍵尺寸表示制作半導體或芯片的技術節點，線寬越小，集成的元件就越多，在同一面積上就可以集成更多電路單元，同時功耗也越低。但是相應的，制作工藝也會越來越復雜。因此線寬大小是半導體制造工藝先進水平的主要指標。納米級的關鍵尺寸測量不確定度控制非常困難，具有精確測量算法的測量方法是關鍵尺寸評估的關鍵。
半導體線寬測量標準由中國科學技術大學物理學院和微尺度物質科學國家研究中心丁澤軍團隊主導制定。丁澤軍團隊在臨界尺寸掃描電子顯微鏡測量半導體關鍵尺寸方法的基礎上，利用表面電子能譜學的Monte Carlo模擬計算方法構建 “基于模型數據庫”方法，提供偏差更小，尺寸和形狀精度更高的結果。該方法適用于確定樣品的線寬，例如晶圓上的柵極，光掩模，尺寸小于10 nm的單個孤立的或密集的線條特征圖案。
由我國主導的半導體線寬檢測標準發布標志著我國半導體測評技術的發展已經得到了認同，也意味著我國的半導體產業將在世界上擁有更大的影響力。半導體行業是經濟的焦點領域。作為技術要求極高的行業，國產企業在這一方面與美、韓仍有較大差距，因此國家十分重視半導體行業的發展。
團隊在標準的研究上得到科技部973項目、國家自然科學基金委和中科大超算中心的支持。未來如何積累優勢，在半導體行業上趕上甚至超過美、韓，仍需要研究人員繼續努力。
資料來源：科學網
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