南京芯片高低溫試驗(yàn)箱
3.1測(cè)試環(huán)境條件
3.2測(cè)試方法
環(huán)境溫度為+25℃、相對(duì)濕度≤85%、試驗(yàn)箱內(nèi)無(wú)試樣條件下
GB/T 5170.2 溫度試驗(yàn)設(shè)備
GB/T 5170.5濕熱試驗(yàn)設(shè)備(僅濕熱型)
滿(mǎn)足試驗(yàn)標(biāo)準(zhǔn)
GJB 150.3高溫試驗(yàn)
GJB 150.4低溫試驗(yàn)
IEC68-2-1 試驗(yàn)A:寒冷
IEC68-2-2 試驗(yàn)B:干熱
GB 11158《高溫試驗(yàn)箱技術(shù)條件》
GB10586-1《濕熱試驗(yàn)箱技術(shù)條件》
GB/T 2423.2《電工電子產(chǎn)品基本環(huán)境試驗(yàn)規(guī)程試驗(yàn)B:高溫試驗(yàn)方法》
GB/T 2423.3《電工電子產(chǎn)品基本環(huán)境試驗(yàn)規(guī)程試驗(yàn)Ca:恒定濕熱試驗(yàn)方法》
等……
南京芯片高低溫試驗(yàn)箱
3溫度波動(dòng) | ±0.5℃ |
3.4溫度偏差 | ±2.0℃ |
3.5濕度波動(dòng) | ±2.5%R.H. |
3.6濕度偏差 | ±3.0%. |
3.7負(fù)載情況 | 測(cè)試空間不大于總空間的四分之三,無(wú)發(fā)熱源。 |
3.8產(chǎn)品測(cè)試架 | 標(biāo)準(zhǔn)置物架x2塊 |
安裝場(chǎng)地
地面平整,通風(fēng)良好
設(shè)備周?chē)鸁o(wú)強(qiáng)烈振動(dòng)
設(shè)備周?chē)鸁o(wú)強(qiáng)電磁場(chǎng)影響
設(shè)備周?chē)鸁o(wú)易燃、易爆、腐蝕性物質(zhì)和粉塵
設(shè)備周?chē)粲羞m當(dāng)?shù)氖褂眉熬S護(hù)空間,如下圖所示:
A:不小于10cm
B:不小于60cm
C:不小于60cm
D:不小于160cm