上海伯東代理美國(guó) 進(jìn)口 KRI 考夫曼離子源 KDC 75:緊湊柵極離子源,離子束直徑 14 cm ,可安裝在 8“CF法蘭. 適用于中小型腔內(nèi), 考夫曼離子源 KDC 75 包含2個(gè)陰極燈絲, 其中一個(gè)作為備用,KDC 75 提供緊密聚焦的電子束特別適合濺射鍍膜. 標(biāo)準(zhǔn)配置下離子能量范圍 100 至 1200ev, 離子電流可以超過(guò) 250 mA.

型號(hào)

KDC 75 / KDC 75L(低電流輸出)

供電

DC magnetic confinement

- 陰極燈絲

2

- 陽(yáng)極電壓

0-100V DC

電子束

OptiBeam™

- 柵極

專(zhuān)用, 自對(duì)準(zhǔn)

-柵極直徑

7.5 cm

中和器

燈絲

電源控制

KSC 1212 或 KSC 1202

配置

-

- 陰極中和器

Filament, Sidewinder Filament  或LFN 2000

- 安裝

移動(dòng)或快速法蘭

- 高度

7.9'

- 直徑

5.5'

- 離子束

聚焦
平行
散設(shè)

-加工材料

金屬
電介質(zhì)
半導(dǎo)體

-工藝氣體

惰性
活性
混合

-安裝距離

6-24”

- 自動(dòng)控制

控制4種氣體

* 可選: 一個(gè)陰極燈絲; 可調(diào)角度的支架

KRI 考夫曼離子源 KDC 75 應(yīng)用領(lǐng)域
濺鍍和蒸發(fā)鍍膜 PC
輔助鍍膜(光學(xué)鍍膜)IBAD
表面改性, 激活 SM
離子濺射沉積和多層結(jié)構(gòu) IBSD
離子蝕刻 IBE

客戶(hù)案例: 超高真空離子刻蝕機(jī) IBE, 真空度 5E-10 torr, 系統(tǒng)配置
美國(guó) KRI 考夫曼離子源 KDC 75

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