NIST SRM2134硅深度剖面標(biāo)準(zhǔn)中砷植入標(biāo)準(zhǔn)品旨在用于通過(guò)二次離子質(zhì)譜 (SIMS) 分析技術(shù)校準(zhǔn)對(duì)硅基質(zhì)中微量和痕量砷的二次離子響應(yīng)。 SRM 2134 用于校準(zhǔn) SIMS 儀器在特定儀器條件下對(duì)硅基質(zhì)中砷的響應(yīng)。它也可以被實(shí)驗(yàn)室用作校準(zhǔn)硅中砷工作標(biāo)準(zhǔn)的轉(zhuǎn)移標(biāo)準(zhǔn)。
SRM 2134 的一個(gè)單元由一個(gè) 1 cm × 1 cm 的單晶硅襯底組成，該襯底已被離子注入同位素 75As，標(biāo)稱能量為 100 keV。 SRM 2134 經(jīng)認(rèn)證可用于 75As 原子的保留劑量。劑量以每單位面積的砷質(zhì)量單位表示。 SIMS 提供了關(guān)于砷原子濃度隨地表以下深度變化的其他未經(jīng)認(rèn)證的信息。
處理：
SRM 2134 - 硅深度剖面標(biāo)準(zhǔn)中的砷植入 標(biāo)準(zhǔn)品 的植入面是拋光的反射面。該表面在包裝前已清潔。使用前，應(yīng)立即使用加壓空氣除塵器從表面清除灰塵顆粒。不建議在氫氟酸中蝕刻此 SRM，因?yàn)楸砻嫜趸锟赡軙?huì)去除一些砷。
儲(chǔ)存：不使用時(shí)，NIST SRM2134硅深度剖面標(biāo)準(zhǔn)中砷植入標(biāo)準(zhǔn)品應(yīng)存放在其原始托盤中，并蓋緊蓋子。
用途：
隨著連續(xù)層被離子轟擊去除，SIMS 可以通過(guò)監(jiān)測(cè)一種或多種濺射離子種類，獲得作為深度函數(shù)的材料成分信息。使用該技術(shù)時(shí)，通常使用與未知物質(zhì)在同一基質(zhì)中的相同物質(zhì)的參考樣品校準(zhǔn)物質(zhì)的濃度值
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