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某研究機構(gòu)采用Hakuto 離子蝕刻機 10IBE 對碲鎘汞晶體進行蝕刻, 并研究碲鎘汞晶體蝕刻后的電學(xué)特性.

Hakuto 離子蝕刻機 10IBE 技術(shù)參數(shù):

 Hakuto 離子刻蝕機 10IBE  離子源是配伯東公司代理美國 考夫曼博士創(chuàng)立的 KRI考夫曼公司的考夫曼離子源 KDC 160

伯東美國 KRI 考夫曼離子源 KDC 160 技術(shù)參數(shù)：

Hakuto 離子刻蝕機 10IBE 真空腔采用 Pfeiffer 渦輪分子泵 Hipace 700, 可抽的真空度 < 1 · 10-7 hpa, 良好的保持真空腔的真空度.

試驗利用遷移率譜分析了離子束刻蝕后的碲鎘汞晶體, 發(fā)現(xiàn) 180μm 的 p 型碲鎘汞晶體在刻蝕后轉(zhuǎn)為 n 型, 且由兩個不同電學(xué)特性的電子層組成:低遷移率的表面電子層和高遷移率的體電子層.

通過分析不同溫度下的遷移率譜, 表明表面電子層的遷移率不隨溫度而變化, 而體電子層的遷移率隨溫度的變化與傳統(tǒng)的n型碲鎘汞材料一致.

不同厚度下的霍爾參數(shù)表明體電子層的電學(xué)性質(zhì)均勻.

另外,通過計算得到表面電子層的濃度要比體電子層高 2—3 個數(shù)量級.

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上海伯東 : 羅先生