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附有極性切換功能，輸出電壓可達(dá)2000V,同時(shí)裝載了n*分辨率的電流表，因此不僅可以進(jìn)行PID評估，還可以用于要求進(jìn)行高敏感度測試的絕緣體評估測試。標(biāo)準(zhǔn)安裝了可從外部調(diào)用的面板存儲器及RS232C接口，因此也可以靈活對應(yīng)自動化系統(tǒng)。PID現(xiàn)象是指太陽能電池與邊框長期被施以高電壓，電池發(fā)電量顯著降低的現(xiàn)象。目前認(rèn)為所施加的電壓越高，越是在高溫、高濕的環(huán)境下劣化現(xiàn)象越嚴(yán)重。如晶體硅太陽能電池模塊的輸出電壓即使只有數(shù)十V，一旦直接連接的片數(shù)增加，串內(nèi)的電位差將變得非常高。一方面，PCS(Power Conditioning System)作為交流電源與系統(tǒng)相連,使接地形態(tài)發(fā)生變化。輸入端采用浮接(一側(cè)電極不能接地線)的無變壓器方式近年有所增加。這種情況下電池和地線間將發(fā)生高電位差。現(xiàn)在可明確的是，晶體硅太陽能電池模塊中，相對于邊框(接地線)負(fù)極電位高的電池容易發(fā)生PID現(xiàn)象。(請參照圖1)目前，日本國內(nèi)以zui大600V、歐洲以zui大1000V的系統(tǒng)電壓運(yùn)行太陽能電池模塊，但是目前出現(xiàn)了提高zui大系統(tǒng)電壓以削減企業(yè)用大規(guī)模太陽能發(fā)電系統(tǒng)的串?dāng)?shù)、PCS總數(shù)，提高發(fā)電效率的趨勢。圖2模擬了晶體硅太陽能電池模塊的處于高電位差的狀況。邊框?yàn)檎龢O電位、模塊電路處于負(fù)*電位的狀況。目前認(rèn)為是由于超白鋼化玻璃內(nèi)的鈉離子向電池側(cè)遷移而引起劣化。(薄膜太陽能電池模塊也被確認(rèn)出現(xiàn)PID現(xiàn)象，但是發(fā)生劣化的機(jī)制與晶體硅太陽能電池模塊不同。)現(xiàn)在，各種研究機(jī)構(gòu)正在通過研究、試驗(yàn)查找PID現(xiàn)象的原因。