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　　為培育戰略性新興產業，整合業內技術、人才、信息等資源，實現投入少、回報高、見效快的技術創新模式，提升我國半導體照明產業自主創新能力和速度，在、等六部門聯合發布的《關于推動產業技術創新戰略聯盟構建的指導意見》指導下，根據要求試點聯盟積極探索整合資源，構建產業技術創新平臺的精神，在基礎司和政策法規司的共同推動下，于2012年1月正式批復依托半導體照明產業技術創新戰略聯盟建設半導體照明聯合創新國家重點實驗室。

 

　　這是我國個依托聯盟建立的國家重點實驗室，是一個體制機制*創新的公共研發平臺，始終堅持以產業價值為核心價值的理念，以產業技術創新需求為基礎，以完善技術創新鏈為目標，企業以項目資金投入，科研機構、大學和其他社會組織以研發人員和設備的使用權投入，充分利用和整合現有資源，探索形成多種形式的政產學研用協同創新模式，推動建立基礎研究、應用研究、成果轉化和產業化、先進技術標準研制緊密結合、協調發展機制探索持續性投入機制，逐步形成可持續發展的開放的、化的非營利研究實體，成為半導體照明的技術創新中心、人才培養中心、標準研制中心和產業化輻射中心。2013年1月實驗室在荷蘭設立其海外研發實體機構—“半導體照明聯合創新國家重點實驗室代爾夫特研究中心”，成為中國在海外建立分中心的國家重點實驗室。

 

　　

 

 

　　半導體超晶格國家重點實驗室于1988年3月由國家計委組織專家論證并批準后開始籌建，1990年開始對外開放，1991年11月通過了由國家計委組織的驗收委員會驗收。現任實驗室主任為王開友研究員。實驗室學術委員會主任為高鴻鈞院士。

 

　　實驗室以研究和探索半導體體系中的新現象和新效應為主要目標，通過對固體半導體中的電子、自旋和光子的調控，探索其在電子/自旋量子信息技術、光電子及光子器件中的潛在應用，從最基礎的層面上提升我國電子、光電子、光子信息技術的創新能力，提升我國在半導體研究領域的競爭力。實驗室先后有5位成院士、12位成長為國家杰出青年基金獲得者。為我國半導體科學技術的跨躍式發展做出重要貢獻。

 

　　實驗室現有人員中包括研究員26人、高級工程師1人和管理人員1人，其院士、9位國家杰出青年基金獲得者、3位優秀青年科學基金獲得者、1位北京杰出青年基金獲得者。

 

　　自成立以來，實驗室承擔了近百個、基金委和的重大和重點項目，取得了可喜的科研成果，獲得國家自然科學獎二等獎5項;黃昆先生獲得2001年度國家科學技術獎。2004年半導體超晶格國家重點實驗室被授予國家重點實驗室計劃先進集體稱號。實驗室具有良好的科研氛圍、科研設備和環境條件，擁有雄厚的科研積累和奮發向上的科研團隊，并多次獲得國家自然基金委員會的創新研究群體科學基金。

 

　　實驗室每年可接收40名碩士、博士研究生和博士后。現有研究生和博士后100余人。

 

　　*半導體超晶格國家重點實驗室儀器配置情況未公布

 

 

　　高功率半導體激光國家重點實驗室成立于1997年，由原國防科工委和原兵器工業總公司投資建設，經過二十年的發展建設，實驗室已經成為我國光電子領域的重要研究基地和人才培養基地之一。現有科研、辦公面積3800平方米，超凈實驗室面積為1500平方米;生產開發平臺面積為600平方米，其中超凈實驗室面積為200平方米。

 

　　現有博士學位一級學科2個、碩士學位一級學科2個、國防特色學科1個、博士后科研流動站1個。實驗室有研究人員36人，其中雙聘院士1人、教授9人、副教授10人，博士生導師10人，重點研發計劃總體專家1人，國家獎評審專家1人，國防科學技術獎評審專家1人，吉林省長白山學者1人。實驗室現有MBE、MOCVD等先進的半導體材料外延生長設備，SEM、XRD、PL等完善的材料分析檢測手段，電子束蒸發、磁控濺射、芯片解理、貼片、激光焊接、平行封焊、綜合測試等工藝設備，設備資產1.2億元，為光電子領域的相關研究提供了的條件支撐。

 

　　在半導體激光研究方向上，高功率半導體激光國家重點實驗室代表著國家水平，研制的半導體激光器單管輸出功率大于10瓦、光纖耦合模塊大于100瓦、以及高頻調制、脈沖輸出等半導體激光器組件，技術處于國內水平;在基礎研究領域，深入開展了GaSb材料的外延生長理論及技術研究，研究成果達到水平;在半導體激光應用基礎技術研究領域，堅持以滿足裝備應用為目標，研制的駕束制導半導體激光發射器成功用于我軍現役主戰坦克系統，實現了駕束制導領域跨越式發展;研制的激光敏感器組件已經用于空軍某型號末中，并將在多個平臺上推廣應用。近年來，實驗室在國內外重要學術刊物上發表論文600余篇，出版專著7部，獲國家、省部級獎勵40余項，申請發明50余項，鑒定成果40余項，對我國的國防裝備發展作出了重要貢獻。

 

高功率半導體激光重點實驗室儀器配置

感應耦合等離子體刻蝕

掃描電子顯微鏡

光刻機

磁控濺射鍍膜機

等離子體增強化學氣相沉積系統

X射線雙晶衍射儀

光刻機

快速圖譜儀

電化學C-V分布測試儀,PN4300,英國伯樂

光熒光譜儀

特種光纖熔接機

丹頓電子束鍍膜機

SVT超高真空解理機

光譜分析儀

萊寶電子束鍍膜機

半導體激光器芯片貼片機

金屬有機化合物化學氣相沉淀（MOCVD）

磁控濺射臺

 

 

　　電子薄膜與集成器件國家重點實驗室是以新型傳感器重點實驗室、電子信息材料重點實驗室和功率半導體技術重點實驗室為基礎于2006年7月建立的。

 

　　目前，實驗室緊密圍繞國家IT領域的戰略目標，立足于電子信息材料與器件的發展前沿，堅持需求與發展并舉、理論與實踐并重，致力于新型電子薄膜材料與集成電子器件的研究和開發，促進材料—器件—微電子技術的交叉和集成。

 

　　實驗室現有研究人員80人，管理人員6人，技術人員3人;客座研究人員18人。在固定研究人員中已形成以陳星弼院士為帶頭人的一支以45歲左右為核心、35歲左右為主力的骨干研究隊伍。隊伍中包院士1人，院士1人，國家自然基金委創新團隊2個，國防科技創新團隊1人，創新團隊2人，博導58人。實驗室擁有1個國家重點學科、5個博士點以及5個碩士點，已具備每年250名左右碩士生、40名左右博士生、20名左右博士后的人才培養規模。

 

　　實驗室覆蓋了微電子學與固體電子學、電子材料與元器件、材料科學與工程、材料物理化學、材料學5個博士點學科，擁有電子科學與技術、材料科學與工程2個博士后流動站，其中微電子學與固體電子學為國家重點學科。實驗室面積近4000 m2，擁有儀器設備500余套，價值8000余萬人民幣。已初步建成具有水平的“材料與器件制造工藝平臺”、“微細加工平臺”、“電磁性能測試與微結構表征平臺”和“集成電路設計平臺”，具備承擔國家重大基礎研究項目的能力。

 

　　近5年，實驗室科研工作碩果累累。目前，實驗室共承擔包括國家自然基金、973、863等各類項目在內的民口縱向項目和校企合作項目等科技項目共約200余項，總經費達2億元，其中，2009年的科研經費超過7000萬元。科研成果獲獎勵7項，省部級獎24項，市級獎5項，申請發明150余項，獲得包括美國發明在內的40余項，發表學術論文1000余篇，出版學術專著和教材7部。取得了包括“新耐壓層與全兼容功率器件”等一系列標志性成果。實驗室堅持面向社會，服務社會，致力于科研成果的推廣和應用，“半導體陶瓷電容器”、“功率鐵氧體及寬頻雙性復合材料”、“集成電路系列產品”等科研成果的成功轉化，企業取得4億多元的直接經濟效益及良好的社會效益。

 

　　*電子薄膜與集成器件國家重點實驗室儀器配置情況未公布

 

 

　　專用集成電路與系統國家重點實驗室(復旦大學)于1989年經國家計委批準建設，1995年9月正式通過國家驗收。實驗室依托復旦大學國家重點一級學科“電子科學與技術”，以及“微電子學與固體電子學”與“電路與系統”兩個國家重點二級學科。

 

　　實驗室面向集成電路主流的學術前沿問題和國家集成電路產業發展的重大需求，聚焦高能效系統芯片及其核心IP設計，開展數字、射頻與數模混合信號集成電路設計創新研究，同時進行新器件新工藝和納米尺度集成電路設計方法學的研究。形并滿足國家戰略需求的標志性創新成果，使實驗室成為我國在集成電路設計方向上科學研究、技術創新與高層次人才培養具有重要影響力的基地，為我國集成電路產業尤其是集成電路設計產業的跨越式發展做出重大貢獻。

 

　　瞄準集成電路發展前沿，面向國家重大需求，面向國民經濟主戰場，緊緊圍繞主要研究方向，實驗室承擔了大量國家863計劃、973計劃、國家科技重大專項、國家自然科學基金、國防預研項目、省部級項目以及各類合作項目，在重要刊物和會議上發表大量高質量學術論文，獲得多項發明，榮獲多項二等獎、省部級一等獎、二等獎等獎項。

 

　　實驗室現有固定人員68人，其中，教授(研究員)43人，包括院士1人，國家入選者5人，國家青年千人2人，國家杰出基金獲得者4人，長江學者特聘教授2人、IEEE Fellow 1人。在實驗室現有固定人員中，有多名國家和部委聘任的科技專家，包括1名國家“核心電子器件、通用芯片及基礎軟件產品”科技重大專項專家，2名國家“極大規模集成電路裝備和成套工藝”科技重大專項專家，4名科技術“863”計劃專家庫專家。按照“創新團隊+優秀研究小組”的建設思路，打造了實驗室年輕化、團隊化、化的研究隊伍。

 

　　實驗室擁有器件與工藝子平臺環境和集成電路設計環境。器件與工藝子平臺現有千級凈化面積約600平方米，百級凈化面積100平方米，配備了價值近1億元的設備，具有開展先進納米CMOS器件和工藝的研發能力。集成電路設計環境已可提供Cadence、Mentor Graphics、Synopsys、Altera、Xilinx等公司軟件環境，提供相應的標準化仿真模型，支持教學、科研、產品設計與制造。實驗室平臺本著“集中、共享、升級、開放”的原則為實驗室的科學研究服務。

 

　　實驗室積極開展多渠道學術交流，承辦ICSICT、ASICON等多個重要會議，參加學術會議并做特邀報告，積極開展科技合作和交流。依托“重點實驗室高級訪問學者基金”和設立開放課題，吸引國內外高水平研究人員來實驗室開展合作研究，加強了實驗室研究的前瞻性和化程度。

專用集成電路與系統國家重點實驗室儀器配置

熱阻蒸發鍍膜設備

化學氣相沉積系統

全自動探針臺

存儲器參數測試系統

半導體存儲器參數測試儀

掃描探針顯微鏡

手動探針臺

電學測試系統

臺階分析儀

芯片測試系統

柔性四件組裝加工手套箱

大面積柔性三維光刻

柔性電子制造設備

亞微米級貼片設備

無線和微波頻段測試系統

激光鍵合設備

臺式掃描式電子顯微鏡

柔性四件電化學加工測試平臺

高性能頻譜分析儀

高性能頻譜分析儀

等離子刻蝕系統

實驗室電路板快速系統（激光機）

射頻探針臺

原位納米力學測試系統

超低溫手動探針臺

智能型傅立葉紅外光譜分析儀

顯微喇曼/熒光光譜儀

數字電視芯片測試系統

氣相沉積系統

薄膜沉積系統

化學氣相沉積系統

超高真空激光分子束系統

原子層淀積系統

矢量網絡分析儀

微波退火設備

準分子氣體激光器

高精密電學測試探針臺

納米熱分析系統

信號源分析儀

頻譜分析儀

X射線衍射儀

矢量網絡分析儀

矢量信號源

實時示波器

橢圓偏振光譜儀

硬件加速仿真驗證儀

頻譜分析儀

矢量信號發生器

矢量信號分析儀

銅互連超薄籽晶層集成濺射和測試系統

半導體晶片探針臺

互連銅導線成分分析儀

化學氣相沉積系統

低介電常數介質電容（K值）測試設備

微細加工ICP刻蝕機

快速熱退火系統

探針測試臺

半導體參數分析儀

白光干涉儀

桌上型化學機械拋光設備

納米壓印設備

原子層淀積系統

高精度探針臺

探針測試臺

納米器件濺射儀

存儲薄膜濺射儀

原子層化學氣相沉淀系

等離子反應離子刻蝕機

物理氣相淀積系統

等離子體增強介質薄膜

化學機械拋光系統

銅電鍍系統

 

 

　　集成光電子學國家重點實驗室成立于1987年，1991年正式對外開放。現由吉林大半導體研究所兩個實驗區聯合組成。在1994年、2004年國家重點實驗室建立十周年以及二十周年總結表彰大會上，被評為“國家重點實驗室先進集體“，并獲“金牛獎”。在2002年、2007年、2012年信息領域國家重點實驗室評估中，連續三次被評為“優秀實驗室”，2017年被評為“良好實驗室”。

 

　　研究方向包括有機光電器件、寬禁帶半導體材料與器件、超快光電子、納米光電子、能源光電技術五個研究方向。實驗室重點研究基于半導體光電子材料、有機光電子材料、微納光電子材料的各種新型光電子器件以及光子集成器件和芯片，研究上述器件及芯片在光纖通信系統與網絡、信息處理與顯示中的應用技術。研究內容為：半導體光電子材料(包括低維量子結構材料)、有機光電子材料、微納光電子材料;新型光電子器件物理(包括器件結構設計與模擬);基于上述材料的光電子集成器件的制作工藝及其功能芯片集成技術;光電子器件及芯片在光通信、光互連、光顯示、光電傳感方面應用技術研究。

 

　　*集成光電子學國家重點實驗室儀器配置情況未公布

 

 

　　1985年，在浙江大學半導體材料研究所的基礎上，由原國家計委批準建設硅材料國家重點實驗室(原名高純硅及硅烷國家重點實驗室)，88年正式對外開放。是國內建立的國家重點實驗室之一。以重點實驗室為依托的浙江大學材料物理與化學學科(原半導體材料學科)一直是全國重點學科，1978年獲批*批碩士點(半導體材料)，1985年獲批個半導體材料工學博士點。

 

　　從上世紀50年代開始，浙江大學在硅烷法制備多晶硅提純技術、摻氮直拉硅單晶生長技術基礎研究等取得系列重大成果，在上占有*的地位;同時，實驗室一直堅持“產、學、研”緊密結合，培育出浙江金瑞泓科技股份有限公司等國內硅材料的，取得顯著經濟效益。自上世紀90年代以來，實驗室研究方向不斷拓寬。目前，實驗室以硅為核心的半導體材料為重點，包括半導體硅材料、半導體薄膜材料、復合半導體材料以及微納結構與材料物理等研究方向。

 

　　2013年至2017年期間，實驗室共獲得國家自然科學二等獎2項，國家技術發明二等獎2項

 

　　，浙江省科學技術(發明)一等獎5項，技術發明一等獎1項。江西、湖北省科學技術進步(技術發明)一等獎各1項(合作)，自然科學二等獎1項，浙江省科學技術進步二等獎2項。發表SCI檢索論文1996篇，獲得國家發明492項。已成為國家在本領域的科學研究、人才培養和交流的主要基地之一。

　　

 

　　除了上述國家重點實驗室，還有新型功率半導體國家實驗室以及光伏技術國家重點實驗室等企業國家重點實驗室。

 

　　此外，還有中科院半導體材料科學重點實驗室、寬帶隙半導體技術國家重點學科實驗室、光電材料與技術國家重點實驗室、發光材料與器件國家重點實驗室、發光學及應用國家重點實驗室等半導體領域相關的實驗室等。

 

　　

 

　　

 

　　綜合來看，光刻機、化學氣相沉積設備、電鏡（尤其是掃描電鏡和原子力顯微鏡）、X射線衍射、磁控濺射儀、半導體參數測試儀、能譜儀、探針測試臺、刻蝕設備、光譜測試設備、蒸發鍍膜設備、橢偏儀、分子束外延設備等儀器配置頻率較高。

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