新型砷化鎵等離子體太赫茲探測器：新的發現增強了頻率響應優化的能力
TERASENSE推出一項真正革命性的太赫茲成像技術，這在某些方面很不尋常的是它與半導體測輻射熱計和外差探測器都沒有關系。我們的技術是基于制造像素的砷化鎵半導體，而像素本身代表高速等離子體太赫茲探測器，與其他類型的傳感器不同，它能夠在室溫環境下工作。
當然，跟其他領域一樣，太赫茲成像技術知識沒有邊界，還有更多東西有待發現。擁有*的研究實驗室的TERASENSE科學家們一直在不斷努力學習有關其產品的更多信息，并且近取得了如下所述的另一項突破。
我們的許多客戶已經知道，我們的太赫茲傳感器陣列/成像攝像機中使用的太赫茲檢測器是寬帶類型的，這使他們能夠在50 GHz至700 GHz整個認證范圍內拾取輻射。 但是，我們的探測器的靈敏度(即測得的頻率響應)不是單調的，因此不代表連續曲線。 由于檢測器的檢測器基板(即內部的晶體)內部存在輻射干擾，因此其響應度由多個峰和滴組成。 這是我們的新想法，并始終告訴客戶，我們的專家可以在制造階段調整響應度曲線中大值的位置，以與客戶喜歡的頻率相匹配。
除此之外，并以此為基礎，Igor Kukushkin教授帶領了一批均有固態物理學博士學位的年輕科學家近開展了一項研究項目，旨在更深入地研究我們的單像素GaAs等離子體激元太赫茲檢測器在各種次太赫茲頻率上的振蕩行為。 結果，他們在THz檢測器的基板厚度與在某些頻率下可以達到的實際頻率響應和靈敏度大值之間建立了明確的依存關系。
他們的研究表明，由檢測器基板內部的電磁波干擾引起的這種頻率依賴性可以有效地用于簡單地通過調整基板厚度來優化所需的工作頻率。 它既適用于作為離散元件的單像素(點)太赫茲檢測器，又適用于我們的傳感器陣列/太赫茲成像相機(作為一組點檢測器)。 這里發布的圖片顯示了一些頻率響應隨基片厚度變化的關鍵圖。
而且，他們的研究表明，安裝在這種單像素太赫茲檢測器上的半球形硅透鏡可以有效地抑制基板內的干擾，因此，這可以幫助我們獲得更均勻和可預測的頻率響應。
下圖顯示了用于測量我們的點THz檢測器的頻率響應的實驗設置的元素。 我們使用了一些BWO信號源來生成65 GHz–384 GHz和530–710 GHz頻率范圍內的CW測試信號。在384 GHz - 530 GHz之間的頻率跨度沒有被檢測僅僅是因為缺乏相應的連續波源，但我們的研究人員認為，我們的THz探測器在該領域仍然是敏感的。歡迎您仔細閱讀我們在上發表的新型的GaAs等離子體激元太赫茲檢測器的頻率響應的優化(A.V.Shchepetilnikov等人)的文章，該文章于2019年11月12日在Springer Science(Springer Nature 2019的一部分)上在線發布。(光學和量子電子(2019)51：376 https://doi.org/10.1007/s11082-019-2093-4)
這項發現的實際含義很難被高估，因為它將有助于改進THz成像技術，以用于諸如工業NDT中的實時THz成像以及安全性篩選和電信等應用領域。由于我們的技術采用了廣泛用于半導體生產的標準工藝以進行批量生產，因此我們可以要求合理的價格并確保高性能和快速響應率。毫無疑問，我們科學家的成就將幫助我們更好地滿足客戶未來的需求，并簡化我們產品的開發過程。
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