濺射離子槍，等離子體發生源主要用途:

濺射清洗/表面科學中樣品表面處理, MBE and HV 濺射過程

離子輔助沉積

離子束濺射鍍膜

反應離子刻蝕

濺射離子槍，等離子體發生源主要用途:

• 濺射清洗/表面科學中樣品表面處理, MBE and HV 濺射過程

• 離子輔助沉積

• 離子束濺射鍍膜

• 反應離子刻蝕
  濺射離子槍，等離子體發生源技術指標:

  離子能量	25eV - 5keV
  總的離子束電流	1mA (at 5kV with Argon) High Current Version: up to 4mA (at 5kV with Argon)
  電流密度	120μA/cm2 at 100mm working distance
  離子束發散角	Ion energy dependant (typically 15°)
  工作距離	100 mm (typically)
  等離子體杯	Alumina (superior than other dielectric materials due to highest yield of secondary electrons)
  氣體進氣口徑	CF-16 (1.33“OD)
  氣體流速	1 - 5 sccm (1,5 sccm typical, gas dependant)
  工作真空度	10-6mbar - 10-3mbar (1x10-5mbar typical in chamber with 300l/s pimp). Low 10-6 mbar range possible - beam current then 140μA max.
  激發模式	微波放電等離子體 (無燈絲)
  安裝口徑	CF-35 (2.75“OD)
  槍直徑	34mm (真空端)
  泄露閥	需要氣體質量流量計 型號：  IonEtch Sputter Gun 品牌：  特科特拉 產地：  德國