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返回產品中心>PHI公司的PHI 710俄歇電子能譜儀是一臺設計*的高性能的俄歇電子能譜(AES)儀器。該設備能分析納米級特征區域,超薄薄膜和多層結構表界面的元素態和化學態信息。作為高空間分辨率,高靈敏度和高能量分辨率的俄歇電子能譜儀,PHI 710可以為用戶提供納米尺度方面的各種分析需求。
PHI公司的PHI 710俄歇電子能譜儀是一臺設計*的高性能的俄歇電子能譜(AES)儀器。該設備能分析納米級特征區域,超薄薄膜和多層結構表界面的元素態和化學態信息。作為高空間分辨率,高靈敏度和高能量分辨率的俄歇電子能譜儀,PHI 710俄歇電子能譜儀可以為用戶提供納米尺度方面的各種分析需求。
PHI710主要特點:
SEM分辨率≤ 3 nm, AES分辨率≤ 8 nm
歇能譜的采集分析過程中,包括譜圖,深度剖析及元素分布像,需要先在SEM圖像上定義樣品分析區域,必然要求束斑直徑小且穩定。PHI 710的SEM圖像的空間分辨率優于3nm,AES的空間分辨率優于8nm(@20kV,1nA)。
關于鑄鐵韌性斷裂的界面分析,左邊是SEM圖像,中間是鈣、鎂、鈦的俄歇成像,右邊則是硫的俄歇成像,這充分證明了PHI 710在納米級尺度下的化學態的分析能力。
同軸筒鏡分析器(CMA)
PHI 公司電子槍和分析器同軸的幾何設計,具有靈敏度高和視線無遮攔的特點,滿足了現實復雜樣品對俄歇分析全面表征能力的需求。所有俄歇的數據都是從顆粒的各個方向收集而來,成像沒有陰影。
俄歇能譜儀的化學態成像:
圖譜成像
高能量分辨率俄歇成分像
納米級的薄膜分析
SEM圖像中,以硅為襯底的鎳的薄膜上有缺陷,這是由于退火后,在界面處形成了硅鎳化合物。分別在缺陷區域和正常區域設定了一個分析點,分析條件為高能量分辨率模式下(0.1%),電子束直徑20nm,離子槍采用0.5kV設定。在MultiPak軟件中,采取小二乘擬合法用于區分金屬鎳和硅鎳化合物,同樣區分金屬硅和硅化物。可以看出,硅鎳化合物僅存在于界面處,而在鎳薄膜層和硅襯底中都不存在。但是,在鎳涂層的缺陷處,發現了硅鎳化合物。
l PHI SmartSoft-AES用戶界面:PHI SmartSoft是一個從用戶需求出發而設計的軟件。該軟件通過任務導向的方式指引用戶導入樣品,定義分析點,并設置分析條件,可以讓新手快速,方便地測試樣品,并且用戶可以很方便的重復之前的測量。
PHI MultiPak 數據處理軟件:MultiPak軟件擁有全面的俄歇能譜數據庫。采譜分析,線掃描分析,成像和深度剖析的數據都能用MultiPak來處理。軟件強大的功能包括譜峰的定位,化學態信息及檢測限的提取,定量測試和圖像的增強等。
l 選配件:
真空室內原位樣品泊放臺;
原位脆斷;
真空傳送管;
預抽室導航相機;
電子能量色散探測器(EDS);
電子背散射衍射探測器(EBSD);
背散射電子探測器(BSE);
聚焦離子束(FIB);
l 應用領域:
•半導體器件:缺陷分析、蝕刻/清潔殘余物分析、短路問題分析、接觸污染物分析、界面擴 散現象分析、封裝問題分析、FIB器件分析等。
•顯示器組件:缺陷分析、蝕刻/清潔殘余物分析、短路問題分析、接觸污染物分析、接口擴 散現象分析等。
•磁性存儲器件:表面多層、表面元素、界面擴散分析、孔洞缺陷分析、表面污染物分析、磁 頭缺陷分析、殘余物分析等。
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