半導體激光外延片
歐屹科技十余年來耕耘于半導體激光領域,與日本,英國,美國,德國等半導體激光芯片外延廠商合作,無論是單管激光芯片,還是bars,stack芯片都可以提供,主要尺寸包括2吋,4吋,6吋芯片,波長從405nm-1200nm,探測器芯片也可以提供,歐屹科技為您提供性價比高的產品和服務。
歐屹科技十余年來耕耘于半導體激光領域,與日本,英國,美國,德國等半導體激光芯片外延廠商合作,無論是單管激光芯片,還是bars,stack芯片都可以提供,主要尺寸包括2吋,4吋,6吋芯片,波長從405nm-1200nm,探測器芯片也可以提供,歐屹科技為您提供性價比高的產品和服務。
半導體激光外延片用于制備器件:
半導體激光器: 波長范圍405nm - 1,200 nm
面發射器件:VCSELs 和 VECSELs
發光二極管:RCLEDs、LEDs和SLEDs
Schottky二極管
光電探測器
主要特征:
多種外延材料和外延結構
高可靠性
高一致性
根據客戶要求客戶定制
主要優點:
開發周期短
靈活而可靠
低開發成本
交貨期快
有競爭力的價格
另外也可以提供國內高功率激光器或探測器芯片。
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