| 參考價 | ￥ 10 |
| 訂貨量 | ≥1臺 |
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日本napson手持式探針無損渦流法電阻測量儀
只需觸摸手持式探頭即可測量電阻。
在電阻/薄層電阻測量模式之間輕松切換
使用JOG撥盤輕松設置測量條件
連接到連接器的可替換電阻測量探頭可支持多種電阻
（電阻探頭：多可以使用2 + PN判斷探頭）
日本napson手持式探針無損渦流法電阻測量儀
測量目標
半導體/太陽能電池材料相關（硅，多晶硅，SiC等）
新材料/功能材料相關（碳納米管，DLC，石墨烯，銀納米線等）
導電薄膜相關（金屬，ITO等）
硅基外延，離子與
半導體相關的注入樣品化合物（GaAs Epi，GaN Epi，InP，Ga等）
其他（*請與我們聯系）
測量尺寸
無論樣品大小和形狀如何均可進行測量（但是，大于20mmφ且表面平坦）
測量范圍
[電阻] 1m至200Ω·cm
（*所有探頭類型的總范圍/厚度500um）
[板電阻] 10m至3kΩ / sq
（*所有探頭類型的總范圍）
*有關每種探頭類型的測量范圍，請參閱以下內容。
（1）低：0.01至0.5Ω/□（0.001至
0.05Ω- cm）（2）中：0.5至10Ω/□（0.05至0.5Ω-cm）
（3 ））高：10至1000Ω/□（0.5至60Ω-??cm）
（4）S-高：1000至3000Ω/□（60至200Ω-cm）
（5）太陽能晶片：5至500Ω/□（0。 2至15Ω-cm）
測量目標
半導體/太陽能電池材料相關（硅，多晶硅，SiC等）
新材料/功能材料相關（碳納米管，DLC，石墨烯，銀納米線等）
導電薄膜相關（金屬，ITO等）
硅基外延，離子與
半導體相關的注入樣品化合物（GaAs Epi，GaN Epi，InP，Ga等）
其他（*請與我們聯系）
測量尺寸
無論樣品大小和形狀如何均可進行測量（但是，大于20mmφ且表面平坦）
測量范圍
[電阻] 1m至200Ω·cm
（*所有探頭類型的總范圍/厚度500um）
[板電阻] 10m至3kΩ / sq
（*所有探頭類型的總范圍）
*有關每種探頭類型的測量范圍，請參閱以下內容。
（1）低：0.01至0.5Ω/□（0.001至
0.05Ω- cm）（2）中：0.5至10Ω/□（0.05至0.5Ω-cm）
（3 ））高：10至1000Ω/□（0.5至60Ω-??cm）
（4）S-高：1000至3000Ω/□（60至200Ω-cm）
（5）太陽能晶片：5至500Ω/□（0。 2至15Ω-cm）
日本napson手持式探針無損渦流法電阻測量儀
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