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低真空CVD石墨烯生長系統設備描述
CVD1200C-II-SL 200D50-5Z 雙溫區滑軌式CVD系統由雙溫區滑軌爐、質子流量控制系統、真空系統三部分組成。雙溫區滑軌爐可移動并可實現快速升降溫；PLC控制5路質子流量器，能夠精確控制系統的供氣；真空泵可實現對管式爐快速抽真空。CVD（化學氣象沉積系統）常用于表面材料生長、沉積，是一款實驗室常用設備。
低真空CVD石墨烯生長系統技術參數
低真空CVD石墨烯生長系統 雙溫區滑軌爐LFT1200C-II 200D50 | 爐體結構 | 該設備采用雙層殼體并帶有風冷系統，使其爐體表面溫度都小于55℃ · 爐底安裝一對滑軌，可手動滑動，以便滿足特殊工藝的快速升降溫的要求。 |
爐管尺寸 | Φ50/60/80/100×1400mm(可提供特殊定制。) | |
功率 | 5kW | |
輸入電壓 | 220VAC 單相 50/60Hz | |
加熱元件 | Cr27Al7MO2（摻鉬鐵鉻鋁合金） | |
溫度 | 溫度：1200℃ 額定溫度：1100℃ | |
升溫速率 | ≦10℃/min（推薦） | |
加熱區長度度 | · 兩個加熱區的長度都是200mm · 分別由獨立的溫控系統控制 | |
恒溫區長 | · 100+100mm（±1℃） · 可獲得較長恒溫區間 | |
控溫精度 | · ±1℃ | |
快速連接法蘭 | · Φ50快結式不銹鋼真空法蘭 · 打開法蘭直接卸下卡箍即可，取放樣品方便 | |
五路質子流量控制系統
| 電壓 | 220VAC 單相 50/60Hz |
針閥材質 | 316不銹鋼 | |
量程 | 50sccm、100sccm、500sccm、500sccm、500sccm（可根據工藝要求提供多種量程選擇） | |
工作溫度 | 5～45℃ | |
外型尺寸 | 600(L) x 600(W) x 700(H) mm | |
電壓 | AC220V/50Hz單相 | |
功率 | 23W | |
真空系統 | 殼體尺寸 | · 600 (L) x 600 (W) x 700(H)mm |
最大承載量 | · 1000 Lbs | |
抽氣速率 | · 10m³/h · 極限真空度：10-1Pa · 雙層立式油污過濾器(PE材質）與真空泵連接 | |
質保期 | 一年質保期，相關耗材除外，如爐管，密封圈加熱元件等易耗件 | |
使用注意事項 | · 爐管內氣壓不可高于0.02MPa · 當爐體溫度高于1000℃時，爐管內不可處于真空狀態，爐管內的氣壓需和大氣壓相當，保持在常壓狀態進入爐管的氣體流量需小于200SCCM，以避免冷的大氣流對加熱石英管的沖擊 · 石英管的長時間使用溫度＜1100℃ · 對于樣品加熱的實驗，不建議關閉爐管法蘭端的抽氣閥和進氣閥使用。若需要關閉氣閥對樣品加熱，則需時刻關注壓力表的示數，若氣壓表示數大于0.02MPa，必須立刻打開泄氣閥，以防意外發生（如爐管破裂，法蘭飛出等） | |
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