單溫區單晶提拉生長爐
產品介紹：
提拉爐采用硅鉬棒進行加熱，專門設計針對于材料在真空或氣氛保護環境下對材料進行燒結，采用雙層殼體結構，使得殼體表面溫度小于65℃，高純度氧化鋁纖維作為爐膛保溫材料。主要應用領域如單晶生長，碳納米管生長，陶瓷燒結退火等。

單溫區單晶提拉生長爐? 設備參數：

加熱系統：

工作電壓：AC220V 單相

最大功率:  9KW

加熱區尺寸Φ200*250mm

工作溫度: 1700°C（<1hr）

連續工作溫度: 1600°C

控溫方式采用宇電高精度版本控溫控儀表，PID方式調節溫度，可程序控溫，用戶需要探索所長晶體最合適的溫度梯度

在上部爐膛處開有一個Φ25mm的斜觀察孔，用于在晶體生長過程中對籽晶和晶體液面進行觀察。

溫控系統： 采用1塊宇電高精度儀表，控溫精度可達±0.1℃

• 0.05 級精度的控制器，帶 150 段程序段，人工智能技術調節

• 配置1根B型熱電偶作為溫度檢測及反饋信號傳感器 

籽晶桿固定件和坩堝

• 設備固定裝置預留好連接桿的固定裝置，可用于連接鉑金絲或者水冷提拉桿（鉑金絲選配）

• 標配有1套水冷提拉桿，用于連接客戶生長晶體所用的籽晶桿；

• 可選配Φ80*80mm的銥金坩堝；

其他選配功能（選配）

 上部提拉密封系統，采用真空波紋管密封，可以實現在真空密封環境下進行提拉法生長晶體；

下部稱重系統，采用下稱重方式，可以實現對生長晶體的自動精確控制。

伺服電機控制系統：

（提拉速度更為均勻穩定，改善單晶生長質量）

• 提拉速度：0.03-12mm/h

• 提拉桿轉速：0.03-50r/min

• 可手動控制實現快速升降
• 提拉行程：400mm

單溫區單晶提拉生長爐外形尺寸 600mm(L) x 655mm(W) x 1400mm(H)