簡介:氧化鋅(ZnO)晶體基片廣泛應用于GaN(藍光LED)外延基片,寬波段連接器等領域,多用于各大高校實驗室。
簡介:氧化鋅(ZnO)晶體基片廣泛應用于GaN(藍光LED)外延基片,寬波段連接器等領域。
性能及參數 | |
生長方法 | 水熱法 |
晶體結構 | 六方 |
晶胞/晶格常數 | a=3.252 Å c=5.313 Å |
顏色及外觀 | 如圖 |
密度 | 5.7 g/cm3 |
熔點 | 1975 ℃ |
莫氏硬度 | 4.5mohs |
熱膨脹系數 | 6.5×10-6/℃//a 3.7×10-6/℃//c |
光學透過 | 0.4~0.6um>50% at 2mm |
熱導率 | 30 W/m.k @ 300K |
熱容 | 0.125cal/g.m |
折射率 | 1.922(o);1.936(e) |
晶向 | <0001>、<11-20>、<10-10> |
晶面定向精度 | ±0.5° |
邊緣定向精度 | ±1° |
斜切晶片 | 可按照客戶需求,定制特殊方向 |
尺寸(可按照客戶需求,定制特殊尺寸) | 10×10×0.5mm、10×5×0.5mm、5×5×0.5mm、15×15×0.5mm等 |
/ | |
拋光 | 單面拋光、雙面拋光等 |
表面粗糙度 | <5 Å |
包裝 | 1000級超級凈室100級超凈袋或單片晶盒封裝 |
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