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產品概述∶?OTF-1200X-S-HPCVD是一款坩堝可在爐管內移動（靠步進電機控制）的小型開啟式管式爐。爐管外徑為50mm，設備最高工作溫度為1200℃C。通過觸摸屏數字控制器控制樣品臺或坩堝在爐管內的位置和溫度。此設備可進行快速熱處理，例如混合物理化學沉積（HPCVD），快速熱蒸發 （RTE），以及在各種氣氨下進行的水平布里奇號晶體生長（HDC），用于新一代晶體研究。
| 產品名稱 | 1200°C坩堝可移動型管式爐 |
| 產品特點 | 爐子配備步進電機，通過觸摸屏數字控制器使樣品臺或坩堝在爐管內移動。 最高溫度可達1200℃。 雙層殼體結構，并帶有風冷系統，可有效降低殼體表面溫度。 內爐膛表面涂有美國進口的高溫氧化鋁涂層可以提高設備的加熱效率，同時也可以延長儀器的使用壽命。 可選擇改造為雙溫區管式爐，但需額外付費，以產生更高的熱梯度或更長的恒溫區。
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| 基本參數 | 最高溫度∶ 1200℃（≤30min） 工作溫度∶ 1100℃ 推薦升溫速率∶≤10℃/min 加熱區長度∶200mn 加熱元件∶摻鉬鐵鉻鋁合金 電壓∶220 最大功率為∶2KW |
| 真空密封 | 高純石英管50mmn外徑x44mm內徑x 450nm長 采用KF結構密封法蘭，硅膠密封圈密封 法蘭上安裝有一個機械壓力表 右端法蘭與一個真空不銹鋼波紋管連接 |
| 坩堝移動機構和PLC控制 | 一個直徑為1/4"的鎧裝熱電偶（K型），通過法蘭伸入到爐管中，并可隨坩堝移動，可實時監測樣品的實際溫度。（見圖一） 通過步進電機移動爐管內的坩堝（樣品臺），最大行程為100mm。 通過觸摸屏設定坩堝一定的距離和目標位置，坩堝移動速度為180mm/min（可根據要求提供變速控制，但需額外付費）。（見圖二） 在熱電偶上安裝了一個微型坩堝舟。（ 見圖三） 可根據要求提供用于晶片的氮化鋁樣品架或石墨平板基底支架，將收取額外的定制費（見圖四）。
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| 溫控系統 | 采用PID方式調節溫度，可設置30段升降溫程序 溫控儀表中帶有過熱和斷偶保護 · 儀表控溫精度∶ +/- 1°c 熱電偶型號∶ K型 |
| 認證 | 所有電氣部件均為U認證，并可通過TUV、cSA認證 CE certified |
| 質保 | 一年保修，終身技術支持。 特別提示∶ 1.耗材部分如加熱元件，石英管，樣品坩堝等不包含在內。 2.因使用腐蝕性氣體和酸性氣體造成的損害不在保修范圍內。點擊查看售后服務承諾書。 |
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