·直徑6英寸的石英腔體，便于清潔和放入樣品。

·安裝有一個2英寸的樣品臺，并且樣品臺可以旋轉，使所制薄膜更加均勻。

· 樣品臺和蒸發源之間的距離可以調節

.氣體流量端口和閥門內置可用于腔室凈化和CVD實驗。

·控溫方式∶手動控溫/程序控溫

· 控溫精度∶+/-1℃

·腔體真空度∶5*10~-3Pa（表壓只能顯示到 1*10~-1Pa）

·樣品室∶石英腔體∶167mm OD.x 152mm ID x 260mm H

·基片∶可裝載基片最大尺寸為 50mm

· 輸出電壓∶ DC 18V

· 最大輸出電流∶ ≤ 20A

·輸入電源∶ AC220V/50HZ

·輸入功率∶<500w

采用鎢絲籃作為發熱源，并且配有專用的氧化鋁坩堝，熱電偶安裝在坩堝底部，以便干溫度測量和控制。（圖1）

·采用S型熱電偶（工作溫度為200℃-1500℃）（圖2）

·可選p型熱電偶（工作溫度為1200℃-1700℃）

·安裝有一個數顯的溫度控制器∶ 可設置30段升降溫程序，控溫精度為+/-1°℃（圖3）

·溫度控制器的時間設置以秒為單位，建議將升溫/降溫速率限制在1200°c以下0.3℃C/s（20°C/min），在1200-1500°c限制到0.15°C/s（10°C/min）

· 儀器中配有鎢絲籃及氧化鋁坩堝（圖4、圖5）

·進氣接口為1/4PS，可向真空腔體中通入惰性氣體，對腔體進行清洗，也可通入反應氣體，進行反應蒸發鍍膜

·進氣口安裝有一針閥，用于調節進氣流量

·L440mnx W330mm x H630mn

·所有電器元件（>24v）都通過u/MET/CSA/CE認證，若客戶出認證費用，本公司保證單臺設備通過德國TuV認證或CAs認證。

一年質保期，終生維護

特別提示∶1.耗材部分如加熱元件，石英管，樣品坩堝等不包含在內。

2.因使用腐蝕性氣體和酸性氣體造成的損害不在保修范圍內。