Hiden TOF-qSIMS 飛行時(shí)間二次離子質(zhì)譜工作站設(shè)計(jì)用于多種材料的表面分析和深度剖析應(yīng)用，包括聚合物，藥物，超導(dǎo)體，半導(dǎo)體，合金，光學(xué)和功能涂層以及電介質(zhì)，檢測(cè)限低于1ppm。

Hiden TOF-qSIMS 飛行時(shí)間二次離子質(zhì)譜工作站設(shè)計(jì)用于多種材料的表面分析和深度剖析應(yīng)用，包括聚合物，藥物，超導(dǎo)體，半導(dǎo)體，合金，光學(xué)和功能涂層以及電介質(zhì)，檢測(cè)限低于1ppm。

TOF-qSIMS Workstation 包含了四極桿質(zhì)譜和飛行時(shí)間質(zhì)譜。

四極桿qSIMS主要用于摻雜物深度剖析和薄層分析，低入射能力，高入射電流，濺射和分析連續(xù)進(jìn)行，是典型的Dynamic SIMS 動(dòng)態(tài)SIMS。

飛行時(shí)間二次離子質(zhì)譜TOF-SIMS使用飛行時(shí)間質(zhì)譜，質(zhì)量數(shù)范圍寬，質(zhì)量分辨率高，且測(cè)量速度快（瞬間得到全譜）。離子槍僅需要一次脈沖濺射，即可得到全譜，對(duì)表面幾乎無破壞作用。因脈沖模式分析，且電流小，所以產(chǎn)生的二次離子比率相對(duì)少，靈敏度相比動(dòng)態(tài)SIMS弱，但成像和表面分析能力強(qiáng)，是典型的Stactic SIMS 靜態(tài)SIMS。

TOF-qSIMS workstation 綜合了Quadrupole SIMS 和 TOF-SIMS的優(yōu)點(diǎn)，可以分析所有的導(dǎo)體、半導(dǎo)體、絕緣材料；對(duì)硅、高k、硅鍺以及III-V族化合物等復(fù)合材料的薄層提供超淺深度剖析、痕量元素和組分測(cè)量等一系列擴(kuò)展功能。對(duì)于材料/產(chǎn)品表面成分及分布，表面添加組分、雜質(zhì)組分、表面多層結(jié)構(gòu)/鍍膜成分、表面異物殘留（污染物、顆粒物、腐蝕物等）、表面痕量摻雜、表面改性、表面缺陷（劃痕、凸起）等有很好的表征能力。

一臺(tái)SIMS同時(shí)提供四極桿質(zhì)譜和飛行時(shí)間質(zhì)譜

靜態(tài)SIMS  Static SIMS

動(dòng)態(tài)SIMS  Dynamic SIMS

Ar+, O2+, Cs+, Ga+ 等多種離子槍

樣品 3D成像分析

檢測(cè)限低于ppm

SNMS 離子源，二次中性粒子譜

二次離子質(zhì)譜成像軟件，靜態(tài)二次離子質(zhì)譜圖庫(kù)，二次離子質(zhì)譜后處理軟件