IGBT模塊動(dòng)態(tài)特性測(cè)試系統(tǒng)STA3500
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專注半導(dǎo)體檢測(cè)·電學(xué)檢測(cè)·可靠性檢測(cè)·老化實(shí)驗(yàn)
IGBT模塊動(dòng)態(tài)特性測(cè)試系統(tǒng)STA3500
電氣配置
高壓源/VCC：1500V/3300V/5000V/10KV
高流源/IC：600A/1500A/3000A/6000A/10KA
短路電流/Isc：3000A/6000A/10KA（5-50µs）
驅(qū)動(dòng)電壓/VGE：±0.5~30V/±0.5~50V
Rg：0.5R、1R、2R、4R（支持手動(dòng)和自動(dòng)切換）
負(fù)載/L：10 50 150 500 1000 2000 uH
電流/I：6000 3000 1500 600 400 200 A
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測(cè)試條件
Vcc范圍：50-3300
VIC范圍：50-200A（雪崩條件）
IC范圍：50-1500A
L電感：10/50/150/5001000/2000uH
VGE（on/off）：±30V(電壓可設(shè)置)
tp測(cè)試時(shí)間：10-1000us（自動(dòng)計(jì)算）
twsoff脈沖間隔：10-50us（可設(shè)置）
電阻范圍：0.5R、1R、2R、4R(Qg條件）
IscMAX（MAX）：6KA/10KA(SC條件）
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試驗(yàn)?zāi)芰?/span>
標(biāo)配，開關(guān)特性/Turn_ON/OFF_L
標(biāo)配，二極管反向恢復(fù)特性/Qrr-FRD
標(biāo)配，柵電荷/Qg
選配，短路特性/SC
選配，單/雙脈沖安全工作區(qū)/RBSOA(Sp/Dp)
選配，雪崩耐量/UIS
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波形例舉
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參數(shù)指標(biāo)
標(biāo)配（阻性/感性）開關(guān)測(cè)試單元/Turn_ON/OFF_L
1. 開通/關(guān)斷時(shí)間ton/toff：10-10000ns解析度/精度：1ns@±4%
2. 開通/關(guān)斷延遲td(on)/td(off）：10-10000ns解析度/精度：1ns@±4%
3. 上升/下降時(shí)間tr/tf：10-10000ns解析度/精度：1ns@±4%
4. 開通/關(guān)斷損耗Eon/Eoff：0.5-10000mJ解析度：0.1mJ
5. 關(guān)斷拖尾時(shí)間tz：10-10000ns解析度/精度：1ns@±4%
6. 導(dǎo)通/關(guān)斷峰值電壓Vce/VCEpk：50-1400V解析度/精度：1V@±4%
7. 通態(tài)峰值電流Ipeak/Ic：20-1500A解析度/精度：1A@±4%
標(biāo)配 二極管反向恢復(fù)測(cè)試單元/Qrr_FRD
1. 反向恢復(fù)時(shí)間Trr：10-1000ns解析度和精度：1ns@±4%
2. MAX反向電流Irm：20A-1500A解析度：1A
3. 反向恢復(fù)電荷Qrr：1nC-30000µC解析度：1nC
4. 反向恢復(fù)損耗Erec：0.5-10000mJ，解析度：0.1mJ
5. di/dt@dv/dt：10A-8000A/us@0.2-5KV/us
6. 反向關(guān)斷峰值電壓VRRpk：50-1400V解析度和精度：1ns@±4%
7. 正向關(guān)斷電流IFM：20A-1500A解析度和精度：1ns@±4%
標(biāo)配 柵極電荷單元/Qg
1. 閾值電荷Qg(th)：20nC~20uC解析度/精度：1uC@±4%
2. 柵電荷Qg：20nC~20uC解析度/精度：1uC@±4%
3. 平臺(tái)電壓vg：.-10V~+20v解析度/精度：0.1V@±2%
4. 柵源電荷Qgs：20nC~20uC解析度/精度：1uC@±4%
5. 柵漏電荷Qgd：20nC~20uC解析度/精度：1uC@±4%
選配 短路特性測(cè)試單元/SCSOA
1. 短路電流Isc：6000A解析度/精度：1A@±4%
2. 短路時(shí)間Tsc：5~100us
選配 安全工作區(qū)/RBSOA
1. RBSOA：VCE/50-1.4KV，Ic/20-2KA
2. VCE/Ic解析度/精度：1V/1A@±4%
選配 雪崩特性測(cè)試單元/UIS
1. 單/重復(fù)脈沖雪崩能量EAS/EAR：1~2000J解析度：0.1mJ
2. 單脈沖雪崩電流IAS：5-200A解析度和精度1A@±4%
3. 單脈沖雪崩功率PAS：MAX140KW
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