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高溫耐濕試驗(yàn)

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上海龍松半導(dǎo)體高溫高濕試驗(yàn)箱適用半導(dǎo)體元器件的研發(fā)和工藝改進(jìn)1、高溫?cái)U(kuò)散工藝技術(shù)的改進(jìn)(重點(diǎn)是高溫長時(shí)間擴(kuò)散

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上海龍松半導(dǎo)體高溫高濕試驗(yàn)箱適用半導(dǎo)體元器件的研發(fā)和工藝改進(jìn)
1、高溫?cái)U(kuò)散工藝技術(shù)的改進(jìn)(重點(diǎn)是高溫長時(shí)間擴(kuò)散,如隔離擴(kuò)散)包括可能引起硅片內(nèi)部隱裂的工藝技術(shù)改進(jìn)
2、包封工藝技術(shù)、框架處理工藝技術(shù)的改進(jìn)
3、塑封料、框架的變更
4、新產(chǎn)品(含新的封裝結(jié)構(gòu))
5、封裝工藝過程中的污染
上海龍松半導(dǎo)體高溫高濕試驗(yàn)箱試驗(yàn)的目的:評(píng)估器件在高溫,高濕,條件下對濕氣的抵抗能力,加速其失效進(jìn)程,同時(shí)可附帶評(píng)價(jià)器件外觀的寢蝕(單純評(píng)價(jià)器件外觀的寢蝕采用GB/T 4937-1995 第Ⅲ篇 5A)
上海龍松半導(dǎo)體高溫高濕試驗(yàn)滿足以下標(biāo)準(zhǔn):

GB/T 4937-1995 第Ⅲ篇 5
GB/T 2423.3-2006
JESD22-A101C

設(shè)計(jì)和技術(shù)參數(shù)(半導(dǎo)體高溫高濕試驗(yàn)箱系列)
型號(hào) LS-TH-80 LS-TH-120 LS-TH-225 LS-TH-408 LS-TH-504 LS-TH-800 LS-TH-1000
箱體設(shè)計(jì)
試驗(yàn)箱內(nèi)容積(升) 80 120 225 408 504 800 1000
試驗(yàn)箱內(nèi)箱容積尺寸
(mm)
寬(W) 400 450 600 600 700 1000 1000
高(H) 500 600 750 850 900 1000 1000
深(T) 400 450 500 800 800 800 1000
試驗(yàn)箱外箱尺寸
(mm)
寬(W) 1020 1070 1220 1220 1320 1630 1630
高(H) 1350 1450 1650 1750 1800 1900 1900
深(T) 630 680 730 1030 1030 1030 1230
溫度試驗(yàn)參數(shù)
溫度 +150
升溫速率(平均) /min 5
溫度波動(dòng)度 ±0.3~0.5
溫度偏差 ±0.5~2.0
溫度校準(zhǔn)值 +23和+80
濕度試驗(yàn)參數(shù)
溫度范圍 RT+10~+98
溫度波動(dòng)度 ±0.3~0.5
溫度偏差 ±0.5~2.0
濕度范圍 %r.h. 20~+98
濕度波動(dòng)度 %r.h. ±1~3.0
溫度和濕度校準(zhǔn)值 ℃/% +23和+125
r.h +95和+50
供電和連接
額定電壓 V 3/N/PE AC 380V ±10% 50Hz
功率 KW 6 6.5 8 10 16 16 18
箱體凈重 kg 300 350 450 500 800 800 850
備注:
溫度和濕度值的數(shù)據(jù)采集是在測試室空載的狀況下由傳感器測得
實(shí)際測量的溫度值穩(wěn)定在測量值后,再進(jìn)行溫度波動(dòng)的測量
根據(jù)特殊使用要求可配置特殊電壓
升溫速度和降溫速度執(zhí)行標(biāo)準(zhǔn)依據(jù)IEC60068-3-5
以上性能指標(biāo)是再進(jìn)水口溫度為25℃,電壓為3/N/PE AC 380V 50Hz下測得
此樣本提供的產(chǎn)品概述僅供參考,既不是相關(guān)的建議和推薦也不是任何合同的一部分。由于本公司的產(chǎn)品會(huì)不斷更新,因此我們保留對技術(shù)指標(biāo)變更的權(quán)利,恕不另行通知,謝謝合作。






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