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Sinton少子壽命測(cè)試儀 SunsVoc Mx

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對(duì)于糊燒的優(yōu)化和過(guò)程控制來(lái)說(shuō)是一臺(tái)優(yōu)秀的設(shè)備。開(kāi)路方法表明了太陽(yáng)能電池前體在結(jié)形成之后的數(shù)值。

詳細(xì)信息 在線詢價(jià)

擴(kuò)散后制程控制

Suns-Voc階段對(duì)于在鋁燒,再次前網(wǎng)燃燒之后測(cè)量晶片是理想的。這使得這些步驟的優(yōu)化和監(jiān)測(cè)保持電壓,獲得良好的歐姆接觸,避免分流。

Suns-Voc 的強(qiáng)大應(yīng)用

通過(guò)直接探測(cè)p和n區(qū),或者探測(cè)金屬化層(如果存在),就能測(cè)量光-VOC曲線。此曲線可以顯示為我們的太陽(yáng)VOC圖或以標(biāo)準(zhǔn)的光伏曲線的形式,光伏曲線可以用來(lái)表示分流的特征。整個(gè)曲線在開(kāi)路狀態(tài)下測(cè)量,不受串聯(lián)電阻的影響。

Suns-Voc系統(tǒng)特性

非常適用于漿料燒結(jié)優(yōu)化和過(guò)程控制。開(kāi)路的方法指出了太陽(yáng)能電池PN結(jié)形成后的上限值。

?硅片臺(tái)溫度控制在25℃

?細(xì)點(diǎn)電壓探頭

?磁探針兼容性、氙燈與中性密度過(guò)濾器

?可微調(diào)強(qiáng)度范圍的高度可調(diào)后柱

?顯示標(biāo)準(zhǔn)的I-V曲線格式和Suns-VOC曲線

?測(cè)量不受串聯(lián)電阻的影響的理想晶片特性

項(xiàng)目 內(nèi)容
每次測(cè)試報(bào)告的參數(shù)

開(kāi)路下的暗IV曲線:材料對(duì)效率的限制

擬合效率

擬合填充因子

雙二極管分析

漏電分析

典型的經(jīng)過(guò)校準(zhǔn)的光照范圍 0.006-6suns
硅片尺寸,標(biāo)準(zhǔn)配置 上限230mm直徑/邊沿


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