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SE-VE光譜橢偏儀

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SE-VE光譜橢偏儀 本設備基于單旋轉補償器調制技術一次性獲取Psi/Delta、N/C/S、反射率等光譜,可實現基底上單層到多層薄膜的膜厚、光學常數的快速分析表征。

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SE-VE光譜橢偏儀

  本設備基于單旋轉補償器調制技術一次性獲取Psi/DeltaN/C/S、反射率等光譜,可實現基底上單層到多層薄膜的膜厚、光學常數的快速分析表征。


1、 橢偏儀測頭規格:

1) 光譜范圍:400-800nm

2) 入射角:65°

3) 斑大小:200μm

4) 調制技術:PCRSA調制技術

5) 重復性測量精度:0.01nm100nm 硅基SiO2樣件,30次重復測量

6) 膜厚測量范圍:0.1nm20μm

7) 單點測量時間:<5s

8) 光源:高性能進口鹵素燈光源(鹵素燈壽命:2,000h

9) 可視化樣品顯微對準系統

2、 樣品臺規格:

1) 基板尺寸:支持樣件尺寸到Ф180mm

2) Z位移行程0-10mm

3) 樣件臺俯仰角度> ±2°

 

3、 測控與分析軟件

1) 光譜測量能力:PSI/DELTA橢偏光譜、N/C/S光譜反射率光譜測量

2) 數據分析能力:具備單層、多層膜厚、光學常數(折射率、消光系數)分析能力

3) 支持常用光學常數模型以及常用振子模型(柯西模型、洛倫茲模型、高斯模型等),并支持圖形化多振子混合模型擬合功能

4) 支持多組分薄膜與體材料光學常數、組分比例分析功能; 核心算法包含嚴格耦合波模型、等效介質模型

      5)支持用戶自定義,軟件不限制拷貝數量,支持windows10操作系統



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