Mono-andMulti-crystallinewaferandbricklifetimemeasurementdevice應用范圍：用于常規質量控制、精密材料研發的單晶和多晶片及晶錠的壽命測量根據SEMI標準PV9-1110的非接觸式和無損成像(PCD/MDP(QSS))、光電導性、電阻率和p/n檢查

Mono- and Multi-crystalline wafer and brick lifetime measurement device

應用范圍：用于常規質量控制、精密材料研發的單晶和多晶片及晶錠的壽命測量

 

 

根據SEMI標準PV9-1110的非接觸式和無損成像(μPCD / MDP(QSS))、光電導性、電阻率和p/n檢查。

晶圓切割，爐內監控，材料優化等。

日常壽命測量，質量控制和檢驗 

1. 產量：>240塊/天或>720片/天
2. 測量速度：對于156x156x400mm標準晶錠，<4分鐘
3. 生產改善：1mm切割標準為156x156x400mm標準晶錠
4. 質量控制：用于過程和材料的質量監控，如單晶硅或多晶硅
5. 污染測定：起源于爐和設備的金屬(Fe)
6. 可靠性：模塊化和堅固耐用的工業儀器，更高的可靠性和運行時間> 99%
7. 可重復性:> 99.5%
8. 電阻率：不需要經常校準

精密材料研發

1. 陷阱濃度測定
2. 硼氧測定
3. 依賴于注入的測量等
   
4. 鐵濃度測定

特性

1. *無觸點無破壞的半導體特性
2. 特殊的“表面之下”壽命測量技術
3. 不可見缺陷的 靈敏度的可視化
4. 自動切割標準定義
5. 空間分辨p/n電導型變換檢測