曝光光源采用進口紫外LED及光源整形模塊，熱量小，光源穩定性好;◆采用技術-積木錯位蠅眼透鏡消衍射和線條陡直增強技術，曝光圖形質量好，光刻分辨力高;采用i線(365 nm)紫外曝光光源和的光學系統實現高均勻照明，光源聚光角小、平行性好;◆采用創的CCD圖像底面對準實現雙面對準單曝光頭正面曝光對準功能;◆采用新穎的高精度、多自由度掩模一樣片精密對準工件臺結構，掩模與樣片對準過程直觀，套刻對準速度快、精度高;◆樣片的放置采用推拉式基準平板、真空吸附式，操作方便;◆配備雙目雙視顯微鏡和CCD圖像對準系統，采用22寸寬屏波晶顯示器，可同時觀察實時對準過程也可存儲記錄曝光結果;◆曝光參數設定采用計算機控制，智能化過程操作，菜單界面友好;◆支持真空接觸曝光、硬接觸曝光、壓力接觸曝光、接近式曝光四種曝光功能;關鍵器件采用進口國際品牌產品，整機可靠性高;
一、公司介紹
光電技術研究所始建于1970年，坐落在四川省成都市南郊，是在西南地區大的研究所，定位于科研基地型研究所之一。
微光學與微電子光學裝備技術研究是光電技術研究所的重點發展學科之一，設有“微電子專用設備研制總體研究室”與“做細加工光學技術國家重點實驗室”。五十多年來，一直致力于微電子光學與微細加工光學裝備的技術攻關與研制，不僅擁有一支總體設計水平高，光、機、電配套，經驗豐富的科研隊伍，還有一支實力雄厚的試制加工、工藝和測試力量，為研發生產和拓展微電子技術裝備定了堅實的基礎。曾先后園滿完成了國家科技重大專項、國家973、國家863、自然科學基金、國的多項重大科技項目的攻關與研制，在我國微電子裝備的研制與微細加工技術攻關與創新等方面，取得了包括國家科技進步獎在內的多項豐碩成果。目前，在知識創新工程機制的激勵下，一支以中青年博士、碩士為主體的攻關與研發技術骨干隊伍正在充分發揮技術帶頭人和創新、創業人才的作用，在發展我國微電子裝備技術與研發中做出新的貢獻。
近年創新研發的具有自主知識產權的URE2000型系列單雙面外光刻機、無模數字光機、納米壓印光刻機、投影光刻機等特色的微細加工光學裝備，以其突出的功能、可掌地品質、的技術和優質的服務，受到國內外眾多用戶的青睞,在微細加工技術科學領域受到廣泛好評。面對新的發展,我們將以“團結、誠信、進取、創新”之理念，開拓進取力創輝煌，歡迎各界朋友精誠合作，攜手共進，協力發展，共創未來。
二、URE-2000系列紫外光刻機技術指標
l 光源類型： LED光源
l 曝光面積：160 mm×160 mm
l 曝光波長：365 nm：≥30 mW/cm2，光強數字連續可調
l 分辨力：1 μm
l 對準精度：±1 μm（單面），±2 mm（雙面，片厚0.8mm）
l 掩模尺寸： 2.5英寸、3英寸、4英寸、5英寸、7英寸
l 樣片尺寸： 樣片尺寸：直徑f10mm-- f150mm(各種不規則片)，厚度可適應0.1mm--2mm
l 曝光方式：定時（倒計時方式0.1s-999.9s任意設定）
l 調平接觸壓力通過傳感器保證重復
l 數字設定對準間隙和曝光間隙
l 正面雙目雙視場對準顯微鏡：既可通過目鏡目視對準，也可通過CCD+顯示器對準，光學合像，光學倍數400倍，光學+電子放大800倍，物鏡三對：4倍、10倍、20倍，目鏡三對：10倍、16倍、20倍
l 底面面對準：采用雙顯微物鏡+CCD+采集卡+計算機合像，物鏡軸距范圍10mm-140mm
l 具備真空接觸曝光、硬接觸曝光、壓力接觸曝光，以及接近式曝光四種功能
l 照明不均勻性：±2%（Ф100 mm 范圍），±3%（Ф150 mm 范圍）
l 掩模相對于樣片運動行程：
X：優于±5mm; Y：優于±5mm; q：優于±6°
l 光源平行性：≤2.5°
2．外形尺寸：約1400mm（長）′1200mm(寬) ′2000mm（高）
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