追求理想的三維結構分析通過自動重復使用FIB制備截面和進行SEM觀察，采集一系列連續截面圖像，并重構特定微區的三維結構。采用的鏡筒布局，從*材料、*設備到生物組織在寬廣的領域范圍內實現傳統機型難以企及的高精度三維結構分析。
追求理想的三維結構分析
通過自動重復使用FIB制備截面和進行SEM觀察，采集一系列連續截面圖像，并重構特定微區的三維結構。
采用的鏡筒布局，從*材料、*設備到生物組織——在寬廣的領域范圍內實現傳統機型難以企及的高精度三維結構分析。
SEM鏡筒與FIB鏡筒互成直角，實現FIB加工截面的垂直入射SEM觀察。
舊型FIB-SEM采用傾斜截面觀察方式，必定導致截面SEM圖像變形及采集連續圖像時偏離視野，直角型結構可避免出現此類問題。
通過穩定獲得忠實反映原始結構的圖像，實現高精度三維結構分析。
同時，FIB加工截面（SEM觀察截面）與樣品表面平行，有利于與光學顯微鏡圖像等數據建立鏈接。
樣品：小白鼠腦神經細胞
樣品來源：自然科學研究機構/生理學研究所 窪田芳之 先生
從生物組織及半導體到鋼鐵及鎳等磁性材料——支持低加速電壓下的高分辨率和高對比度觀察。
FIB加工與SEM觀察之間切換時，不需要重新設定條件，可高效率的采集截面的連續圖像
樣品：鎳
SEM加速電壓：1 kV
加工間距：20 nm
重復次數：675次
不僅支持截面SEM圖像，也支持連續采集一系列截面的元素分布圖像。
通過選配硅漂移式大立體角EDS檢測器*1，可縮短測定時間以及可在低加速電壓下采集元素分布圖像。
樣品：燃料電池電極
SEM加速電壓：5 kV
加工間距：100 nm
重復次數：212次
樣品來源：東京大學 生產技術研究所 鹿園直毅 教授
以的方式配置SEM/FIB/EBSD檢測器*1，在FIB加工與EBSD分析之間無需移動樣品臺即可實現3D-EBSD。因為無需移動樣品臺，所以可大幅提高三維晶體取向分析的精度和效率。
樣品：鎳
SEM加速電壓：20 kV
加工間距：150 nm
重復次數：150次
| 項目 | 內容 | |
|---|---|---|
| SEM | 電子源 | 冷場場發射型 |
| 加速電壓 | 0.1 ～ 30 kV | |
| 分辨率 | 2.1 nm@1 kV | |
| 1.6 nm@15 kV | ||
| FIB | 離子源 | 鎵 |
| 加速電壓 | 0.5 ～ 30 kV | |
| 分辨率 | 4.0 nm@30 kV | |
| 束流 | 100 nA | |
| 標準探測器 | In-colum二次電子探測器/In-colum背散射電子探測器/ 樣品室二次電子探測器 | |
| 樣品臺 | X | 0 ～ 20 mm *2 |
| Y | 0 ～ 20 mm *2 | |
| Z | 0 ～ 20 mm *2 | |
| θ | 0 ～ 360° *2 | |
| τ | -25 ～ 45° *2 | |
| 樣品尺寸 | 正方形邊長6 mm × 厚度2 mm | |
|
|
|
|
|
|
*您想獲取產品的資料：
個人信息：
