優異的高效分析性能微型采樣方法(已在日本和美國取得)已在半導體器件分析領域成為一款工具，它正迅速向更小制樣方向發展。僅用一小時左右即可獲得一個微小樣品，以便于STEM分析，其定位精度可達到0.1 m以下。
優異的高效分析性能
微型采樣方法(已在日本和美國取得)已在半導體器件分析領域成為一款工具，它正迅速向更小制樣方向發展。僅用一小時左右即可獲得一個微小樣品，以便于STEM分析，其定位精度可達到0.1 µm以下。
一個微柱狀樣品，包含一個直接從半導體器件上準確地切割下來的分析點。改變入射聚焦離子束(FIB)的方向，把微樣品切割或加工成任意形狀。
新開發的半導體裝置評估系統由FB2200聚焦離子束(FIB)系統和HD-2700 200 kV(STEM)掃描透射電子顯微鏡構成。從對材料缺陷(組織)的搜索到亞納米薄膜高精度結構分析，只要幾小時即可完成。
聚焦離子束-透射電子顯微鏡(掃描透射電子顯微鏡)(FIB-TEM(STEM))的樣品桿可互換共用
針尖頂端的微柱狀樣品SEM像
微柱狀樣品的明場STEM像
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