SiC / GaN相關晶圓表面檢測設備。
雙頭SiC表面粒子掃描儀

新開發的SiC表面顆粒掃描儀可防止未發現的SiC潛在劃痕。
采取措施，不漏掉傳統表面顆粒檢查設備無法檢測到的SiC表面潛伏期。
通過將雙傳感器安裝在可以檢查透明基板的YPI-MX上，可以進行測量而不會發現微小的劃痕缺陷。
通過在兩個正交軸上布置355 nm（UV）激光器和光接收傳感器，可以消除微小劃痕缺陷的方向依賴性，
并在不忽略SiC襯底的情況下檢測劃痕缺陷和潛在劃痕。
在5分鐘內測量4英寸SiC晶片，包括等待時間檢測測量。

　　　　
　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　設備中雙傳感器測量結果的圖像
 

　

不僅可以測量SiC，還可以測量透明玻璃晶片，硅晶片和LT晶片。
小檢測粒徑為0.1μm。

LT晶片測量結果示例

如果是4英寸LT晶片，則可以在大約2分鐘內進行測量。

 

關于大功率激光控制

配備有YPI-MX-DC的大功率激光輸出通過我們的控制系統（自動功率控制）控制
為恒定，從而可以實現更精確的異物檢測。

設備規格

掃描方式

激光側散射法，雙頭傳感器

工作安裝

手動/自動輸送機

能量消耗

AC100V / 200V 30A

小檢測粒徑

0.1微米

重現性

σ/ X≦10％

測量時間

2分鐘內放入4英寸晶圓

待檢查的基材

SiC /各種透明玻璃基板/ Si晶片，LT晶片，具有
各種膜的晶片等

設備外形尺寸

W900mm x D1,000mm x H1,757mm（手動）
W1,530mm x D1,200mm x H1,715mm（自動傳送帶）

體重

約500公斤（手動）/約1000公斤（自動傳送帶）